
货期:国内(1~3工作日)
起订量:10000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10000 | ¥0.521518 | ¥5215.18 |
| 30000 | ¥0.514796 | ¥15443.88 |
| 50000 | ¥0.437379 | ¥21868.95 |
| 100000 | ¥0.430658 | ¥43065.80 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 410 mA
漏源电阻 1.4 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 2.8 nC
耗散功率 470 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11.96 ns
正向跨导(Min) 100 mS
上升时间 4.93 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18.8 ns
典型接通延迟时间 3.89 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 80 mg
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0DMN62D1SFB-7B
型号:DMN62D1SFB-7B
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 10000+: | ¥0.521518 |
| 30000+: | ¥0.514796 |
| 50000+: | ¥0.437379 |
| 100000+: | ¥0.430658 |
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