
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥14.209797 | ¥14.21 |
| 50 | ¥11.393781 | ¥569.69 |
| 100 | ¥9.374928 | ¥937.49 |
| 500 | ¥7.932487 | ¥3966.24 |
| 1000 | ¥6.73061 | ¥6730.61 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 9.8 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 70 nC
耗散功率 40 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 36 ns
正向跨导(Min) 5.2 S
上升时间 51 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 14 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
购物车
0IRFI640GPBF
型号:IRFI640GPBF
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥14.209797 |
| 50+: | ¥11.393781 |
| 100+: | ¥9.374928 |
| 500+: | ¥7.932487 |
| 1000+: | ¥6.73061 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥14.21