货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥18.428598 | ¥18.43 |
10 | ¥16.550568 | ¥165.51 |
100 | ¥13.304463 | ¥1330.45 |
500 | ¥10.930972 | ¥5465.49 |
1000 | ¥9.369325 | ¥9369.33 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 9.8 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 70 nC
耗散功率 40 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 36 ns
正向跨导(Min) 5.2 S
上升时间 51 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 14 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0IRFI640GPBF
型号:IRFI640GPBF
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥18.428598 |
10+: | ¥16.550568 |
100+: | ¥13.304463 |
500+: | ¥10.930972 |
1000+: | ¥9.369325 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥18.43