
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥11.143233 | ¥11.14 |
| 10 | ¥9.65747 | ¥96.57 |
| 100 | ¥6.682846 | ¥668.28 |
| 500 | ¥5.583689 | ¥2791.84 |
| 1000 | ¥4.75197 | ¥4751.97 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 48 A
漏源电阻 9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 6 nC
耗散功率 2.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.4 ns
正向跨导(Min) 101 S
上升时间 24 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 8 ns
高度 0.9 mm
长度 3.15 mm
宽度 3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 27.600 mg
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0CSD17551Q3A
型号:CSD17551Q3A
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥11.143233 |
| 10+: | ¥9.65747 |
| 100+: | ¥6.682846 |
| 500+: | ¥5.583689 |
| 1000+: | ¥4.75197 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.14