货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥2.479442 | ¥2.48 |
10 | ¥2.231498 | ¥22.31 |
100 | ¥1.214927 | ¥121.49 |
500 | ¥0.747214 | ¥373.61 |
1000 | ¥0.509526 | ¥509.53 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 210 mA
漏源电阻 1.5 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 821 pC
耗散功率 340 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.6 ns
正向跨导(Min) 80 mS
上升时间 3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 7.6 ns
典型接通延迟时间 2.8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN67D8L-7
型号:DMN67D8L-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥2.479442 |
10+: | ¥2.231498 |
100+: | ¥1.214927 |
500+: | ¥0.747214 |
1000+: | ¥0.509526 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥2.48