货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥17.136123 | ¥17.14 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 300 V
漏极电流 59 A
漏源电阻 56 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 100 nC
耗散功率 500 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 200 ns
上升时间 575 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 120 ns
典型接通延迟时间 140 ns
高度 20.1 mm
长度 16.2 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 FDA59N30_NL
单位重量 4.600 g
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0FDA59N30
型号:FDA59N30
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥17.136123 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥17.14