货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥30.030332 | ¥30.03 |
10 | ¥24.97128 | ¥249.71 |
100 | ¥19.878586 | ¥1987.86 |
500 | ¥16.820226 | ¥8410.11 |
1000 | ¥14.271761 | ¥14271.76 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 7.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 58 nC
耗散功率 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) 57 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 36 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIR882DP-GE3
单位重量 506.600 mg
购物车
0SIR882DP-T1-GE3
型号:SIR882DP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥30.030332 |
10+: | ¥24.97128 |
100+: | ¥19.878586 |
500+: | ¥16.820226 |
1000+: | ¥14.271761 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥30.03