制造商
SiC(碳化硅(SiC)功率半导体制造商)
商品描述
650V/40MOHM, SIC, STACKED FAST C
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
12V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
58mOhm @ 20A, 12V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
6V @ 10mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
43nC @ 12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1500pF @ 100V