货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥6.572291 | ¥6.57 |
10 | ¥4.686329 | ¥46.86 |
100 | ¥2.364597 | ¥236.46 |
500 | ¥2.095417 | ¥1047.71 |
1000 | ¥1.630643 | ¥1630.64 |
2000 | ¥1.459479 | ¥2918.96 |
5000 | ¥1.426759 | ¥7133.80 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 410 mA
漏源电阻 1.4 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 2.8 nC
耗散功率 470 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11.96 ns
正向跨导(Min) 100 mS
上升时间 4.93 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18.8 ns
典型接通延迟时间 3.89 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 80 mg
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0DMN62D1SFB-7B
型号:DMN62D1SFB-7B
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.572291 |
10+: | ¥4.686329 |
100+: | ¥2.364597 |
500+: | ¥2.095417 |
1000+: | ¥1.630643 |
2000+: | ¥1.459479 |
5000+: | ¥1.426759 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.57