SCTH35N65G2V-7
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- 制造商编号：
- SCTH35N65G2V-7
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ￥70.493693 | ￥70493.69 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SCTH35N65G2V-7
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
包装
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系列
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零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
45A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V, 20V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
67mOhm @ 20A, 20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
73nC @ 20V
Vgs（最大值）
+22V, -10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1370pF @ 400V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
208W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
H2PAK-7
封装/外壳
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
SCTH35N65G2V-7 同类别型号
注
SCTH35N65G2V-7品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SCTH35N65G2V-7
数据手册PDF。
SCTH35N65G2V-7
型号：SCTH35N65G2V-7
品牌：ST
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1000+： | ￥70.493693 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00