货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥2.718325 | ¥2.72 |
10 | ¥2.261153 | ¥22.61 |
25 | ¥1.892942 | ¥47.32 |
100 | ¥0.92423 | ¥92.42 |
250 | ¥0.909403 | ¥227.35 |
500 | ¥0.771016 | ¥385.51 |
1000 | ¥0.535633 | ¥535.63 |
2500 | ¥0.497824 | ¥1244.56 |
制造商 Toshiba
商标名 MOSVI
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 100 mA
漏源电阻 12 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 175 ns
典型接通延迟时间 65 ns
高度 0.5 mm
长度 1.2 mm
宽度 0.8 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 1.500 mg
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0SSM3J15FV,L3F
型号:SSM3J15FV,L3F
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥2.718325 |
10+: | ¥2.261153 |
25+: | ¥1.892942 |
100+: | ¥0.92423 |
250+: | ¥0.909403 |
500+: | ¥0.771016 |
1000+: | ¥0.535633 |
2500+: | ¥0.497824 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥2.72