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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 28 A
漏源电阻 28.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 -
栅极电荷 80 nC
耗散功率 30 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 180 ns
上升时间 210 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 310 ns
典型接通延迟时间 33 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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02SJ652-1E
型号:2SJ652-1E
品牌:ON
供货:锐单
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