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EPC2035

EPS
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制造商编号:
EPC2035
制造商:
EPS
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
GANFET TRANS 60V 1A BUMPED DIE
渠道:
digikey

库存 :33806

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 24.171843 24.17
10 16.354241 163.54
100 11.513753 1151.38
500 9.350526 4675.26
1000 8.643271 8643.27

规格参数

属性
参数值

制造商型号

EPC2035

制造商

EPS

商品描述

GANFET TRANS 60V 1A BUMPED DIE

包装

Cut Tape (CT) Alternate Packaging

系列

eGaN®

零件状态

Active

FET 类型

N-Channel

技术

GaNFET (Gallium Nitride)

漏源电压(Vdss)

60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

1A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

45mOhm @ 1A, 5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 800µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

1.15nC @ 5V

Vgs(最大值)

+6V, -4V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

115pF @ 30V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

-

工作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

供应商器件封装

Die

封装/外壳

Die

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型号:EPC2035

品牌:EPS

供货:锐单

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1+: ¥24.171843
10+: ¥16.354241
100+: ¥11.513753
500+: ¥9.350526
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