RFD12N06RLESM9A
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- 制造商编号：
- RFD12N06RLESM9A
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.50604 | ￥4.51 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 17 A
漏源电阻 75 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 49 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 37 ns, 50 ns
上升时间 89 ns, 34 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns, 41 ns
典型接通延迟时间 13 ns, 5.3 ns
外形参数
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 RFD12N06RLESM9A_NL
单位重量 330 mg
RFD12N06RLESM9A 同类别型号
注
RFD12N06RLESM9A品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、RFD12N06RLESM9A
数据手册PDF。
RFD12N06RLESM9A
型号：RFD12N06RLESM9A
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.50604 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.51