货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥15.659575 | ¥15.66 |
10 | ¥14.093617 | ¥140.94 |
100 | ¥11.329769 | ¥1132.98 |
500 | ¥9.308614 | ¥4654.31 |
1000 | ¥7.712876 | ¥7712.88 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 153 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 330 S
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 29 ns
典型接通延迟时间 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0CSD18510KCS
型号:CSD18510KCS
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥15.659575 |
10+: | ¥14.093617 |
100+: | ¥11.329769 |
500+: | ¥9.308614 |
1000+: | ¥7.712876 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥15.66