
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥51.204412 | ¥51.20 |
| 30 | ¥40.885076 | ¥1226.55 |
| 120 | ¥36.581727 | ¥4389.81 |
| 510 | ¥32.278143 | ¥16461.85 |
| 1020 | ¥29.050382 | ¥29631.39 |
制造商 UnitedSiC
商标名 SiC FET
商标 UnitedSiC
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.7 kV
漏极电流 7.6 A
漏源电阻 1.07 Ohms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 6 V
栅极电荷 27.5 nC
耗散功率 100 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 28 ns
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 17 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
购物车
0UF3C170400K3S
型号:UF3C170400K3S
品牌:SiC
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥51.204412 |
| 30+: | ¥40.885076 |
| 120+: | ¥36.581727 |
| 510+: | ¥32.278143 |
| 1020+: | ¥29.050382 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥51.20