货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥80.439351 | ¥80.44 |
10 | ¥72.656409 | ¥726.56 |
100 | ¥60.151503 | ¥6015.15 |
500 | ¥52.379135 | ¥26189.57 |
1000 | ¥45.620489 | ¥45620.49 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 6 A
漏源电阻 2.75 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 92 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
正向跨导(Min) 3 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 24 ns
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 Polar HiPerFET Power MOSFET
单位重量 6 g
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0IXFH6N120P
型号:IXFH6N120P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥80.439351 |
10+: | ¥72.656409 |
100+: | ¥60.151503 |
500+: | ¥52.379135 |
1000+: | ¥45.620489 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥80.44