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IPD090N03LGATMA1

INFINEON(英飞凌)
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制造商编号:
IPD090N03LGATMA1
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
渠道:
digikey

库存 :94205

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 10.820192 10.82
10 9.439194 94.39
100 6.531979 653.20
500 5.457932 2728.97
1000 4.645138 4645.14

规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标名 OptiMOS

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 40 A

漏源电阻 7.5 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.2 V

栅极电荷 15 nC

耗散功率 42 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 2.6 ns

正向跨导(Min) 53 S

上升时间 3 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 15 ns

典型接通延迟时间 4 ns

外形参数

高度 2.3 mm

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 IPD090N03L G SP000680636

单位重量 330 mg

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IPD090N03LGATMA1

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型号:IPD090N03LGATMA1

品牌:INFINEON

供货:锐单

库存:94205 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥10.820192
10+: ¥9.439194
100+: ¥6.531979
500+: ¥5.457932
1000+: ¥4.645138

货期:7-10天

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