货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥10.820192 | ¥10.82 |
10 | ¥9.439194 | ¥94.39 |
100 | ¥6.531979 | ¥653.20 |
500 | ¥5.457932 | ¥2728.97 |
1000 | ¥4.645138 | ¥4645.14 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 7.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.2 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 42 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.6 ns
正向跨导(Min) 53 S
上升时间 3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 4 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD090N03L G SP000680636
单位重量 330 mg
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0IPD090N03LGATMA1
型号:IPD090N03LGATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.820192 |
10+: | ¥9.439194 |
100+: | ¥6.531979 |
500+: | ¥5.457932 |
1000+: | ¥4.645138 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥10.82