IPW65R190CFDFKSA1
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- 制造商编号：
- IPW65R190CFDFKSA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247
- 渠道：
- digikey
库存 ：3499
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥41.392679 | ￥41.39 |
| 10 | ￥37.216343 | ￥372.16 |
| 25 | ￥35.180071 | ￥879.50 |
| 100 | ￥28.145786 | ￥2814.58 |
| 250 | ￥26.582255 | ￥6645.56 |
| 500 | ￥25.018477 | ￥12509.24 |
| 1000 | ￥21.422132 | ￥21422.13 |
| 2500 | ￥21.109278 | ￥52773.19 |
| 5000 | ￥19.233017 | ￥96165.09 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IPW65R190CFDFKSA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247
包装
Tube
系列
CoolMOS™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
17.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
190mOhm @ 7.3A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 730µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
68nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1850pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
151W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
PG-TO247-3
封装/外壳
TO-247-3
IPW65R190CFDFKSA1 同类别型号
注
IPW65R190CFDFKSA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IPW65R190CFDFKSA1
数据手册PDF
。
IPW65R190CFDFKSA1
型号：IPW65R190CFDFKSA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：3499 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥41.392679 |
| 10+： | ￥37.216343 |
| 25+： | ￥35.180071 |
| 100+： | ￥28.145786 |
| 250+： | ￥26.582255 |
| 500+： | ￥25.018477 |
| 1000+： | ￥21.422132 |
| 2500+： | ￥21.109278 |
| 5000+： | ￥19.233017 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥41.39