货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.43665 | ¥5.44 |
10 | ¥4.633508 | ¥46.34 |
25 | ¥4.324608 | ¥108.12 |
100 | ¥3.212566 | ¥321.26 |
250 | ¥3.051938 | ¥762.98 |
500 | ¥2.508272 | ¥1254.14 |
1000 | ¥2.038744 | ¥2038.74 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 3.9 A
漏源电阻 47 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 17 nC
耗散功率 900 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 120 mg
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0SI8806DB-T2-E1
型号:SI8806DB-T2-E1
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.43665 |
10+: | ¥4.633508 |
25+: | ¥4.324608 |
100+: | ¥3.212566 |
250+: | ¥3.051938 |
500+: | ¥2.508272 |
1000+: | ¥2.038744 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.44