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SI8806DB-T2-E1

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SI8806DB-T2-E1
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 12V MICROFOOT
渠道:
digikey

库存 :3419

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 5.43665 5.44
10 4.633508 46.34
25 4.324608 108.12
100 3.212566 321.26
250 3.051938 762.98
500 2.508272 1254.14
1000 2.038744 2038.74

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay / Siliconix

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 12 V

漏极电流 3.9 A

漏源电阻 47 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 400 mV

栅极电荷 17 nC

耗散功率 900 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 120 mg

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SI8806DB-T2-E1

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型号:SI8806DB-T2-E1

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:3419 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥5.43665
10+: ¥4.633508
25+: ¥4.324608
100+: ¥3.212566
250+: ¥3.051938
500+: ¥2.508272
1000+: ¥2.038744

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