货期:(7~10天)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥3.16932 | ¥9507.96 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 38 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 6.8 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
正向跨导(Min) 3.5 S
上升时间 19 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 41 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
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0RSQ045N03HZGTR
型号:RSQ045N03HZGTR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥3.16932 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00