货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥17.111816 | ¥17.11 |
10 | ¥15.393762 | ¥153.94 |
100 | ¥12.374111 | ¥1237.41 |
500 | ¥10.16648 | ¥5083.24 |
1000 | ¥8.423686 | ¥8423.69 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 52 A
漏源电阻 49 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 63 nC
耗散功率 357 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 29 ns
正向跨导(Min) 35 S
上升时间 175 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 48 ns
典型接通延迟时间 53 ns
高度 16.3 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0FDP52N20
型号:FDP52N20
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥17.111816 |
10+: | ¥15.393762 |
100+: | ¥12.374111 |
500+: | ¥10.16648 |
1000+: | ¥8.423686 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥17.11