货期:国内(1~3工作日)
起订量:1000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1000 | ¥16.487601 | ¥16487.60 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 5.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 80 nC
耗散功率 178 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 54 ns
上升时间 33 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 125 ns
典型接通延迟时间 37 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
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0RJ1P12BBDTLL
型号:RJ1P12BBDTLL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1000+: | ¥16.487601 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00