货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥57.648754 | ¥57.65 |
10 | ¥52.078444 | ¥520.78 |
100 | ¥43.114063 | ¥4311.41 |
500 | ¥37.543463 | ¥18771.73 |
1000 | ¥32.699094 | ¥32699.09 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 26 A
漏源电阻 240 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 42 nC
耗散功率 500 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导(Min) 14 S
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 38 ns
典型接通延迟时间 21 ns
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 Polar3 HiPerFET Power MOSFET
单位重量 6 g
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0IXFH26N50P3
型号:IXFH26N50P3
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥57.648754 |
10+: | ¥52.078444 |
100+: | ¥43.114063 |
500+: | ¥37.543463 |
1000+: | ¥32.699094 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥57.65