IXTH6N100D2
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- 制造商编号：
- IXTH6N100D2
- 制造商：
- IXYS(艾赛斯.力特)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
- 渠道：
- digikey
库存 ：1198
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥127.311825 | ￥127.31 |
| 10 | ￥114.960678 | ￥1149.61 |
| 100 | ￥95.181198 | ￥9518.12 |
| 500 | ￥82.88217 | ￥41441.08 |
| 1000 | ￥72.187705 | ￥72187.70 |
规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1 kV
漏极电流 6 A
漏源电阻 2.2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 95 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Depletion
配置 Single
下降时间 47 ns
正向跨导（Min） 2.6 S
上升时间 80 ns
典型关闭延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 25 ns
外形参数
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 Depletion Mode MOSFET
单位重量 6 g
IXTH6N100D2 同类别型号
注
IXTH6N100D2品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IXTH6N100D2
数据手册PDF。
IXTH6N100D2
型号：IXTH6N100D2
品牌：IXYS
供货：锐单
库存：1198 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥127.311825 |
| 10+： | ￥114.960678 |
| 100+： | ￥95.181198 |
| 500+： | ￥82.88217 |
| 1000+： | ￥72.187705 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥127.31