
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥127.311825 | ¥127.31 |
| 10 | ¥114.960678 | ¥1149.61 |
| 100 | ¥95.181198 | ¥9518.12 |
| 500 | ¥82.88217 | ¥41441.08 |
| 1000 | ¥72.187705 | ¥72187.70 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1 kV
漏极电流 6 A
漏源电阻 2.2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 95 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Depletion
配置 Single
下降时间 47 ns
正向跨导(Min) 2.6 S
上升时间 80 ns
典型关闭延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 25 ns
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 Depletion Mode MOSFET
单位重量 6 g
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0IXTH6N100D2
型号:IXTH6N100D2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥127.311825 |
| 10+: | ¥114.960678 |
| 100+: | ¥95.181198 |
| 500+: | ¥82.88217 |
| 1000+: | ¥72.187705 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥127.31