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IPP60R180P7XKSA1

INFINEON(英飞凌)
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制造商编号:
IPP60R180P7XKSA1
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 18.604581 18.60
50 14.971641 748.58
100 12.318685 1231.87
500 10.423757 5211.88
1000 8.844387 8844.39

规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标名 CoolMOS

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 600 V

漏极电流 18 A

漏源电阻 145 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 3 V

栅极电荷 25 nC

耗散功率 72 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 8 ns

上升时间 12 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 85 ns

典型接通延迟时间 14 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

零件号别名 IPP60R180P7 SP001606038

单位重量 2 g

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IPP60R180P7XKSA1

锐单logo

型号:IPP60R180P7XKSA1

品牌:INFINEON

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥18.604581
50+: ¥14.971641
100+: ¥12.318685
500+: ¥10.423757
1000+: ¥8.844387

货期:1-2天

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