IXTH1N200P3HV
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- 制造商编号：
- IXTH1N200P3HV
- 制造商：
- IXYS(艾赛斯.力特)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247HV
- 渠道：
- digikey
库存 ：294
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥111.86729 | ￥111.87 |
| 10 | ￥95.840388 | ￥958.40 |
| 100 | ￥79.861639 | ￥7986.16 |
| 500 | ￥70.466515 | ￥35233.26 |
| 1000 | ￥63.419864 | ￥63419.86 |
| 2000 | ￥59.426844 | ￥118853.69 |
规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 2 kV
漏极电流 1 A
漏源电阻 40 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 23.5 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 80 ns
正向跨导（Min） 400 mS
上升时间 26 ns
典型关闭延迟时间 37 ns
典型接通延迟时间 16 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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注
IXTH1N200P3HV品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IXTH1N200P3HV
数据手册PDF。
IXTH1N200P3HV
型号：IXTH1N200P3HV
品牌：IXYS
供货：锐单
库存：294 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥111.86729 |
| 10+： | ￥95.840388 |
| 100+： | ￥79.861639 |
| 500+： | ￥70.466515 |
| 1000+： | ￥63.419864 |
| 2000+： | ￥59.426844 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥111.87