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制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 3.5 A
漏源电阻 51 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 3.2 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 21 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6.600 mg
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0SSM3K361TU,LF
型号:SSM3K361TU,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
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