货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥5.788784 | ¥14471.96 |
5000 | ¥5.593066 | ¥27965.33 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 305 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 13 nC
耗散功率 41 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 42 ns
典型接通延迟时间 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD60R360P7 SP001606048
单位重量 330 mg
购物车
0IPD60R360P7ATMA1
型号:IPD60R360P7ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥5.788784 |
5000+: | ¥5.593066 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00