货期: 8周-10周
起订量:16
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
16 | ¥10.711866 | ¥171.39 |
200 | ¥9.819294 | ¥1963.86 |
500 | ¥8.926579 | ¥4463.29 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 3.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 167 nC
耗散功率 104 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
正向跨导(Min) 95 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 110 ns
典型接通延迟时间 25 ns
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7135DP-GE3
单位重量 506.600 mg
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0SI7135DP-T1-GE3
型号:SI7135DP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
16+: | ¥10.711866 |
200+: | ¥9.819294 |
500+: | ¥8.926579 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00