货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥48.694841 | ¥48.69 |
10 | ¥43.968366 | ¥439.68 |
25 | ¥41.924756 | ¥1048.12 |
100 | ¥34.765684 | ¥3476.57 |
250 | ¥32.720644 | ¥8180.16 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 68 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 100 nC
耗散功率 270 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 20.95 mm
长度 15.94 mm
宽度 5.02 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0TK35N65W,S1F
型号:TK35N65W,S1F
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥48.694841 |
10+: | ¥43.968366 |
25+: | ¥41.924756 |
100+: | ¥34.765684 |
250+: | ¥32.720644 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥48.69