
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥34.06745 | ¥34.07 |
| 10 | ¥30.606414 | ¥306.06 |
| 100 | ¥24.601857 | ¥2460.19 |
| 500 | ¥20.212992 | ¥10106.50 |
| 1000 | ¥16.748021 | ¥16748.02 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 2.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.3 V
栅极电荷 413 nC
耗散功率 104 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
正向跨导(Min) 110 S
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 130 ns
典型接通延迟时间 27 ns
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7145DP-GE3
单位重量 506.600 mg
购物车
0SI7145DP-T1-GE3
型号:SI7145DP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥34.06745 |
| 10+: | ¥30.606414 |
| 100+: | ¥24.601857 |
| 500+: | ¥20.212992 |
| 1000+: | ¥16.748021 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥34.07