
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥18.921586 | ¥18.92 |
| 10 | ¥17.012174 | ¥170.12 |
| 100 | ¥13.93986 | ¥1393.99 |
| 500 | ¥11.866652 | ¥5933.33 |
| 1000 | ¥10.424989 | ¥10424.99 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 235 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 36 nC
耗散功率 32 W
通道模式 Enhancement
下降时间 6 ns
上升时间 13 ns
典型关闭延迟时间 69 ns
典型接通延迟时间 26 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPAN60R125PFD7S SP003235924
单位重量 2 g
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0IPAN60R125PFD7SXKSA1
型号:IPAN60R125PFD7SXKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥18.921586 |
| 10+: | ¥17.012174 |
| 100+: | ¥13.93986 |
| 500+: | ¥11.866652 |
| 1000+: | ¥10.424989 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥18.92