货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥26.748709 | ¥26.75 |
10 | ¥24.046048 | ¥240.46 |
100 | ¥19.699556 | ¥1969.96 |
500 | ¥16.769703 | ¥8384.85 |
1000 | ¥14.143189 | ¥14143.19 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 105 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 14 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 60 nC
耗散功率 230 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 48 ns
正向跨导(Min) 33 S
上升时间 54 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 31 ns
高度 4.83 mm
长度 9.65 mm
宽度 10.41 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 TrenchMV Power MOSFET
单位重量 1.600 g
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0IXTA80N10T
型号:IXTA80N10T
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥26.748709 |
10+: | ¥24.046048 |
100+: | ¥19.699556 |
500+: | ¥16.769703 |
1000+: | ¥14.143189 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥26.75