RQ6E085BNTCR
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- RQ6E085BNTCR
- 制造商：
- ROHM(罗姆)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：100
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 100 | ￥2.731854 | ￥273.19 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8.5 A
漏源电阻 11.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 32.7 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 31 ns
正向跨导（Min） 8 S
上升时间 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 11 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ6E085BN
RQ6E085BNTCR 同类别型号
注
RQ6E085BNTCR品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购RQ6E085BNTCR、查询RQ6E085BNTCR代理商；
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替代型号
、RQ6E085BNTCR
数据手册PDF。
RQ6E085BNTCR
型号：RQ6E085BNTCR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 100+： | ￥2.731854 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00