货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥95.029992 | ¥95.03 |
10 | ¥87.307464 | ¥873.07 |
100 | ¥73.738696 | ¥7373.87 |
500 | ¥65.596006 | ¥32798.00 |
1000 | ¥61.689052 | ¥61689.05 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 70 A
漏源电阻 40 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 67 nC
耗散功率 690 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) 32 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 24 ns
典型接通延迟时间 17 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXFH70N20Q3
型号:IXFH70N20Q3
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥95.029992 |
10+: | ¥87.307464 |
100+: | ¥73.738696 |
500+: | ¥65.596006 |
1000+: | ¥61.689052 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥95.03