货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥21.623041 | ¥21.62 |
10 | ¥19.473094 | ¥194.73 |
25 | ¥18.365994 | ¥459.15 |
100 | ¥15.647669 | ¥1564.77 |
500 | ¥12.855949 | ¥6427.97 |
1000 | ¥11.179112 | ¥11179.11 |
制造商 Infineon
商标名 DirectFET
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 55 A
漏源电阻 12 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 22 nC
耗散功率 2.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 23 ns
正向跨导(Min) 22 S
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 7.1 ns
典型接通延迟时间 19 ns
高度 0.7 mm
长度 6.35 mm
宽度 5.05 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF6668TRPBF SP001551178
单位重量 500 mg
购物车
0IRF6668TRPBF
型号:IRF6668TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥21.623041 |
10+: | ¥19.473094 |
25+: | ¥18.365994 |
100+: | ¥15.647669 |
500+: | ¥12.855949 |
1000+: | ¥11.179112 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥21.62