货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥124.260555 | ¥124.26 |
10 | ¥114.204668 | ¥1142.05 |
100 | ¥96.453358 | ¥9645.34 |
500 | ¥85.802017 | ¥42901.01 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 64 A
漏源电阻 85 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 150 nC
耗散功率 830 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
正向跨导(Min) 50 S
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 85 ns
典型接通延迟时间 30 ns
高度 26.16 mm
长度 19.96 mm
宽度 5.13 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 10 g
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0IXFK64N50P
型号:IXFK64N50P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥124.260555 |
10+: | ¥114.204668 |
100+: | ¥96.453358 |
500+: | ¥85.802017 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥124.26