货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥23.550758 | ¥23.55 |
10 | ¥19.513487 | ¥195.13 |
100 | ¥15.534779 | ¥1553.48 |
500 | ¥13.144813 | ¥6572.41 |
1000 | ¥11.153092 | ¥11153.09 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 99 A
漏源电阻 6.8 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 49 nC
耗散功率 143 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 69 ns
正向跨导(Min) 31 S
上升时间 216 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 43 ns
典型接通延迟时间 45 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRLR3636TRPBF SP001574002
单位重量 330 mg
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0IRLR3636TRPBF
型号:IRLR3636TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥23.550758 |
10+: | ¥19.513487 |
100+: | ¥15.534779 |
500+: | ¥13.144813 |
1000+: | ¥11.153092 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥23.55