
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥27.422921 | ¥27.42 |
| 25 | ¥21.747671 | ¥543.69 |
| 100 | ¥18.641113 | ¥1864.11 |
| 500 | ¥16.5698 | ¥8284.90 |
| 1000 | ¥14.18789 | ¥14187.89 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 7.8 A
漏源电阻 1.2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 200 nC
耗散功率 190 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 39 ns
正向跨导(Min) 5.6 S
上升时间 38 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 120 ns
典型接通延迟时间 19 ns
高度 20.82 mm
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
购物车
0IRFPE50PBF
型号:IRFPE50PBF
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥27.422921 |
| 25+: | ¥21.747671 |
| 100+: | ¥18.641113 |
| 500+: | ¥16.5698 |
| 1000+: | ¥14.18789 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥27.42