货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥20.165392 | ¥20.17 |
10 | ¥16.950619 | ¥169.51 |
100 | ¥13.713197 | ¥1371.32 |
500 | ¥12.189541 | ¥6094.77 |
1000 | ¥10.437271 | ¥10437.27 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 32 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 60 nC
耗散功率 320 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFB52N15DPBF SP001572332
单位重量 2 g
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0IRFB52N15DPBF
型号:IRFB52N15DPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥20.165392 |
10+: | ¥16.950619 |
100+: | ¥13.713197 |
500+: | ¥12.189541 |
1000+: | ¥10.437271 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥20.17