货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥37.576237 | ¥37.58 |
10 | ¥33.774664 | ¥337.75 |
100 | ¥27.672371 | ¥2767.24 |
500 | ¥23.557004 | ¥11778.50 |
1000 | ¥19.867282 | ¥19867.28 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 44 A
漏源电阻 46 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 72 nC
耗散功率 310 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 19 ns
正向跨导(Min) 83 S
上升时间 27 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 44 ns
典型接通延迟时间 25 ns
高度 20.7 mm
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFP4229PBF SP001578046
单位重量 6 g
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0IRFP4229PBF
型号:IRFP4229PBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥37.576237 |
10+: | ¥33.774664 |
100+: | ¥27.672371 |
500+: | ¥23.557004 |
1000+: | ¥19.867282 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥37.58