货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥21.849566 | ¥21.85 |
30 | ¥17.287334 | ¥518.62 |
120 | ¥14.818189 | ¥1778.18 |
510 | ¥13.17154 | ¥6717.49 |
1020 | ¥11.278126 | ¥11503.69 |
制造商 onsemi
商标名 UniFET
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 16.5 A
漏源电阻 380 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 45 nC
耗散功率 205 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 80 ns
上升时间 150 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 65 ns
典型接通延迟时间 40 ns
高度 20.1 mm
长度 16.2 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 FDA16N50_F109
单位重量 4.600 g
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0FDA16N50-F109
型号:FDA16N50-F109
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥21.849566 |
30+: | ¥17.287334 |
120+: | ¥14.818189 |
510+: | ¥13.17154 |
1020+: | ¥11.278126 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥21.85