
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥40.914266 | ¥40.91 |
| 10 | ¥26.412432 | ¥264.12 |
| 100 | ¥18.144719 | ¥1814.47 |
| 500 | ¥14.710649 | ¥7355.32 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 4.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 88 nC
耗散功率 214 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
正向跨导(Min) 73 S
上升时间 59 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 48 ns
典型接通延迟时间 27 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB042N10N3 G SP000446880
单位重量 324 mg
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0IPB042N10N3GATMA1
型号:IPB042N10N3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥40.914266 |
| 10+: | ¥26.412432 |
| 100+: | ¥18.144719 |
| 500+: | ¥14.710649 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥40.91