货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥45.297774 | ¥45.30 |
10 | ¥40.711726 | ¥407.12 |
100 | ¥33.355762 | ¥3335.58 |
500 | ¥28.395374 | ¥14197.69 |
1000 | ¥24.945779 | ¥24945.78 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 57 A
漏源电阻 33 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 150 nC
耗散功率 360 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 100 S
晶体管类型 1 N-Channel
高度 20.7 mm
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFP4332PBF SP001578038
单位重量 6 g
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0IRFP4332PBF
型号:IRFP4332PBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥45.297774 |
10+: | ¥40.711726 |
100+: | ¥33.355762 |
500+: | ¥28.395374 |
1000+: | ¥24.945779 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥45.30