货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥26.601296 | ¥26.60 |
10 | ¥19.418451 | ¥194.18 |
30 | ¥18.113981 | ¥543.42 |
100 | ¥16.792998 | ¥1679.30 |
500 | ¥16.198555 | ¥8099.28 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.9 A
漏源电阻 50 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 4.3 nC
耗散功率 700 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导(Min) 6 S
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 9 ns
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2316DS-E3
单位重量 8 mg
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0SI2316DS-T1-E3
型号:SI2316DS-T1-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥26.601296 |
10+: | ¥19.418451 |
30+: | ¥18.113981 |
100+: | ¥16.792998 |
500+: | ¥16.198555 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥26.60