货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥130.726696 | ¥130.73 |
10 | ¥118.086487 | ¥1180.86 |
100 | ¥97.765776 | ¥9776.58 |
500 | ¥91.540812 | ¥45770.41 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 88 A
漏源电阻 9.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.2 V
栅极电荷 76 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 26 ns
正向跨导(Min) 16 S
上升时间 70 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 79 ns
典型接通延迟时间 6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB110N20N3LF SP001503864
单位重量 4 g
购物车
0IPB110N20N3LFATMA1
型号:IPB110N20N3LFATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥130.726696 |
10+: | ¥118.086487 |
100+: | ¥97.765776 |
500+: | ¥91.540812 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥130.73