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IPB110N20N3LFATMA1

INFINEON(英飞凌)
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制造商编号:
IPB110N20N3LFATMA1
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 200 D2PAK-3
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 130.726696 130.73
10 118.086487 1180.86
100 97.765776 9776.58
500 91.540812 45770.41

规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标名 OptiMOS

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 200 V

漏极电流 88 A

漏源电阻 9.8 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.2 V

栅极电荷 76 nC

耗散功率 250 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 26 ns

正向跨导(Min) 16 S

上升时间 70 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 79 ns

典型接通延迟时间 6 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 IPB110N20N3LF SP001503864

单位重量 4 g

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IPB110N20N3LFATMA1

锐单logo

型号:IPB110N20N3LFATMA1

品牌:INFINEON

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥130.726696
10+: ¥118.086487
100+: ¥97.765776
500+: ¥91.540812

货期:7-10天

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