
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥57.525638 | ¥57.53 |
| 10 | ¥51.963519 | ¥519.64 |
| 100 | ¥43.020999 | ¥4302.10 |
| 500 | ¥37.462354 | ¥18731.18 |
| 1000 | ¥32.628519 | ¥32628.52 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 550 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 96 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Depletion
配置 Single
下降时间 43 ns
正向跨导(Min) 2.8 S
上升时间 72 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 82 ns
典型接通延迟时间 28 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXTH6N50D2
型号:IXTH6N50D2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥57.525638 |
| 10+: | ¥51.963519 |
| 100+: | ¥43.020999 |
| 500+: | ¥37.462354 |
| 1000+: | ¥32.628519 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥57.53