货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥22.129294 | ¥22.13 |
10 | ¥19.895553 | ¥198.96 |
100 | ¥16.300758 | ¥1630.08 |
500 | ¥13.876663 | ¥6938.33 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 650 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 48 nC
耗散功率 225 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 90 ns
正向跨导(Min) 13 S
上升时间 85 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 155 ns
典型接通延迟时间 30 ns
高度 16.3 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 2 g
购物车
0FQP12N60C
型号:FQP12N60C
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥22.129294 |
10+: | ¥19.895553 |
100+: | ¥16.300758 |
500+: | ¥13.876663 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥22.13