货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥70.681975 | ¥70.68 |
30 | ¥56.406306 | ¥1692.19 |
120 | ¥50.469308 | ¥6056.32 |
510 | ¥44.531734 | ¥22711.18 |
1020 | ¥40.078625 | ¥40880.20 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 110 A
漏源电阻 24 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 157 nC
耗散功率 694 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
上升时间 27 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 19 ns
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXTH110N25T
型号:IXTH110N25T
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥70.681975 |
30+: | ¥56.406306 |
120+: | ¥50.469308 |
510+: | ¥44.531734 |
1020+: | ¥40.078625 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥70.68