货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥79.972645 | ¥79.97 |
10 | ¥73.475325 | ¥734.75 |
100 | ¥62.054529 | ¥6205.45 |
500 | ¥55.201759 | ¥27600.88 |
1000 | ¥50.633294 | ¥50633.29 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 52 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.7 V
栅极电荷 107 nC
耗散功率 780 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 29 S
上升时间 40 ns
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 37 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
购物车
0IXFH60N65X2
型号:IXFH60N65X2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥79.972645 |
10+: | ¥73.475325 |
100+: | ¥62.054529 |
500+: | ¥55.201759 |
1000+: | ¥50.633294 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥79.97